晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构 |
| 申请号/专利号： |
CN201220582682.8 |
申 请 日： |
2012.11.07 |
| 名 称： |
晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构 |
| 公开(公告)号： |
CN202940242U |
公开(公告)日： |
2013.05.15 |
| 主分类号： |
H01L31/0352 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/0352; H01L31/0224 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
浙江省杭州市萧山区南阳经济开发区 |
| 发明(设计)人： |
金友康;冯志强 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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| 专利描述： |
| 本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。包括硅体，所述的硅体的上部设有电池细栅线层，所述的硅体的两侧面和折角处分别为正面电极，所述的硅体下部设有铝背场，所述的铝背场中设有背电极，所述的铝背场与正面电极间设有刻槽。晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构提升产品性能，扩大应用范围，提升能源利用率。 |
| 标签：舒奇蒙 太阳能电池 晶体硅 |
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