一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法 |
申请号/专利号: |
201710973994.9 |
申 请 日: |
2017-10-19 |
名 称: |
一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法 |
公开(公告)号: |
107742603A |
公开(公告)日: |
2018-02-27 |
主分类号: |
H01L21/02(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L21/02(2006.01)I H01L21/673(2006.01)I C23C16/458(2006.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
710043 陕西省西安市新城区幸福北路21号 |
发明(设计)人: |
郑新霞 豆维江 方霆 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
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代 理 人: |
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专利描述: |
本发明涉及一种晶硅太阳电池石墨舟及其饱和处理方法,通过饱和处理工艺使得述SiNx膜和晶硅太阳电池石墨舟之间还镀有一层SiC膜,可以起到保护石墨舟的作用,增加石墨舟的使用寿命,使石墨舟的使用寿命延长2年,在SiC膜基础上镀一层SiNx可有效的提高镀膜的均匀性,降低不良片的返工率,节省成本。 |
标签:黄河光伏 单晶硅 |
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