一种微晶陶瓷电容芯片及其制备方法 |
| 申请号/专利号： |
201810415927.X |
申 请 日： |
2018-05-03 |
| 名 称： |
一种微晶陶瓷电容芯片及其制备方法 |
| 公开(公告)号： |
108529886A |
公开(公告)日： |
2018-09-14 |
| 主分类号： |
C03C10/02(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C03C10/02(2006.01)I C03B19/02(2006.01)I C03C21/00(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
523000 广东省东莞市东城街 |
| 发明(设计)人： |
何鹏飞 易建超 胡锦龙 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及电容技术领域，具体涉及一种微晶陶瓷电容芯片及其制备方法，包括陶瓷本体和分别设置于陶瓷本体两相对面的正负极，其特征在于：所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一种，辅料还包括以下摩尔百分比的原料：Si 4‑5%,Ca 1.5‑2.5%，As 2.5‑3.5%，K 2‑3%，Mo 6‑7%；上述原料摩尔百分比总量为100%。本发明的微晶陶瓷电容芯片能够在高温高压，低温高压下正常工作，长期工作温度最高可达到150℃，长期工作最低温度可达‑40℃，工作电压为0‑100kv。发明的制备方法制备得到的微晶陶瓷电容芯片的机械强度高，耐高压性能优异，耐高温耐低温性能好。 |
| 标签：美志电子 电容 |
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