一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件 |
| 申请号/专利号： |
CN201420084570 |
申 请 日： |
2014.02.26 |
| 名 称： |
一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件 |
| 公开(公告)号： |
CN203859125U |
公开(公告)日： |
2014-10-01 |
| 主分类号： |
H01L31/048 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/048; H01L31/049; H01L31/0216 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
浙江省衢州市柯城区熙春中路36号 |
| 发明(设计)人： |
李正茂 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本实用新型公开了一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，包括晶体硅太阳能电池(3)，晶体硅太阳能电池(3)的正面设有高体积电阻率透射膜（2），高体积电阻率透射膜（2）的上面设有钢化玻璃层（1）；所述晶体硅太阳能电池(3)的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层（4），隔紫外线型EVA胶膜层（4）下面设有背板材料层（5）。本实用新型既可以解决晶体硅太阳能电池组件的电势诱导衰减问题，又最大限度地提高晶体硅太阳能电池组件的光电转化效率，同时，可以有效地保护太阳能电池组件的背板材料。 |
| 标签：正欣光电 太阳能电池 |
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