一种太阳能电池的制造方法 |
| 申请号/专利号： |
CN201110079703 |
申 请 日： |
2011.03.31 |
| 名 称： |
一种太阳能电池的制造方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102185022A |
公开(公告)日： |
2011.09.14 |
| 主分类号： |
H01L31/18 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
沙宁申光伏 太阳能电池 |
| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
江苏省南京市高淳经济开发区松园北路16号; 江苏省南京市高淳经济开发区松园北路16号 |
| 发明(设计)人： |
沈鸿烈;岳之浩;杨超;吴京波;李琼;李斌斌 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及太阳能电池的制造方法，可有效减少电池背面复合中心，提高电池Rsh，提升电池的性能。所述太阳能电池的制造方法，包括对硅片进行扩散制结、周边刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结，印刷电极之前对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀，去除背表面在扩散制结过程中由于磷吸杂所形成的含非ⅢA和/或ⅤA族元素的杂质层。所述对沉积减反射膜后的硅片背面进行刻蚀的方法为离子束刻蚀、反应离子刻蚀或电化学腐蚀。本发明可以去除电池背表面由于扩散后的背面磷吸杂（单面扩散硅片的背面也有非故意的磷扩散，尤其是背面边缘部分）而形成的高浓度的深能级杂质层，减少背面复合中心，进而减少载流子的背面复合，提高电池Rsh，提升电池的性能。 |
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太阳能光伏：