具有静电损伤保护功能的发光二极管器件及其制造方法 |
申请号/专利号: |
201010600683.6 |
申 请 日: |
2010.12.22 |
名 称: |
具有静电损伤保护功能的发光二极管器件及其制造方法 |
公开(公告)号: |
CN102130287A |
公开(公告)日: |
2011.07.20 |
主分类号: |
H01L33/62(2010.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
广东省广州市南沙区南沙资讯科技园软件楼南101 |
发明(设计)人: |
周玉刚;肖国伟;李永德;许朝军;赖燃兴;姜志荣 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
广州新诺专利商标事务所有限公司 |
代 理 人: |
罗毅萍 |
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专利描述: |
本发明涉及一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件,包括发光二极管芯片和倒装基板。该发光二极管芯片包括一发光区和一静电防护区。其中,该发光区包括一发光二极管,该静电防护区包括至少两个静电防护二极管,该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离。该倒装基板包括一表面绝缘的基底,及覆盖在基底表面上的金属线层。该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上,通过该倒装基板上的金属线层,该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。本发明的发光二极管器件具有良好的抗ESD性能,且能进行反向漏电流测试,以甄别不良品防止长期可靠性出现问题。 |
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