一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置 |
申请号/专利号: |
201210050673.9 |
申 请 日: |
2012-02-29 |
名 称: |
一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置 |
公开(公告)号: |
C30B13/20(2006.01)I |
公开(公告)日: |
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主分类号: |
C30B13/20(2006.01)I |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
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颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
*相关专利 |
地 址: |
312300 浙江省绍兴市上虞市经济技术开发区通江西路218号 |
发明(设计)人: |
欧阳鹏根 石刚 傅林坚 曹建伟 陈明杰 王丹涛 邱敏秀 蒋庆良 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
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代 理 人: |
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专利描述: |
本发明涉及非金属晶体的制造设备,旨在提供一种改善区熔单晶炉热场的反射环提升装置。该装置包括反射环和主炉室窗口法兰;反射环外侧环设空心冷却管,冷却管的两端接至窗口法兰上的金属密封接头;金属密封伸出窗口法兰的外壁作为冷却水进出口;冷却管固定在位于竖直光轴上的支架一端;支架上还设有啮合的竖直提升丝杆,传动轴与提升丝杆通过锥齿轮对实现连接。本发明实现了区熔炉炉膛内部反射环的升降运动,运动可靠平稳,并能实现前后调整,方便反射环和加热线圈的对心,能够在熔区下形成有利的热场,提高单晶质量。通过调整反射环位置能够对单晶起到保温作用,降低晶体内部热应力,防止单晶因过冷而出现裂纹等缺陷。 |
标签:晶盛机电 单晶硅 |
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