一种制备晶体硅太阳能电池的方法 |
| 申请号/专利号： |
201310578433.0 |
申 请 日： |
2013-11-15 |
| 名 称： |
一种制备晶体硅太阳能电池的方法 |
| 公开(公告)号： |
103603053A |
公开(公告)日： |
2014-02-26 |
| 主分类号： |
C30B31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C30B31/18(2006.01)I C30B29/06(2006.01)I H01L31/18(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号 |
| 发明(设计)人： |
黄海冰 王丽春 王建波 吕俊 赵建华 王艾华 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32 |
代 理 人： |
陈建和 |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及制备晶体硅太阳能电池的方法，1）先实施P型掺杂即硼掺杂：采用离子注入在硅片的某个表面或某些区域实施硼掺杂；2）对硼掺杂进行高温退火，进行掺杂再分布并在降温过程中进行N型掺杂，经过一次退火工艺实现P型和N型的优化掺杂分布：硼掺杂后硅片放置到高温扩散炉中退火，以200-800℃之间的某个温度进炉，首先利用升温阶段和在950-1100℃之间的某个温度值的恒温退火进行硼掺杂的再分布，气氛是氮气；然后降温到900-800℃之间的某个温度值的时候进行N型掺杂即磷掺杂，利用本方法只需要通过一次高温热处理就能形成高质量的P型和N型的掺杂结，同时减少的高温热处理次数。 |
| 标签：中电电气 晶体硅 太阳能电池 |
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