专利描述:本发明公开了一种晶体硅太阳电池生产用扩散炉的尾气管接头,包括接头体。接头体的内孔分为尾气管结合段和大石英管的尾管结合段,大石英管的尾管结合段的内径大于尾气管结合段的内径;在接头体上开有保护气孔,保护气 ... |
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专利描述:本发明公开了一种基于丝网印刷工艺的制作高效双面N型晶体硅太阳电池的方法,其制备步骤是:在N型硅片的正面磷扩散或局部磷扩散,生长钝化层和减反层,制作正面电极,在N型硅片的背面硼扩散,生长钝化层和减反层,制作背 ... |
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专利描述:本发明公开了基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法,其工艺步骤:步骤1.用H2SO4和H2O2混合溶液清洗硅片表面的有机物,再用去离子水清洗硅片,然后烘干;步骤2.用丝网印刷的方法将液态材料印刷在基底表面 ... |
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专利描述:本发明公开了一种利用套印方式制备晶体硅太阳能电池电极的方法,其工艺步骤如下:A.将准备制备电极的硅片,按照针对接触设计的印刷图形做第一次电极印刷,然后烘干或者烧结;B.再按照第一次电极印刷的印刷图形或针对 ... |
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专利描述:本发明公开了一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法,其工艺步骤是:将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面沉积阻挡层掩膜;然后将太阳能电池硅片放入腐蚀液中,将太阳能电池硅片未沉积阻挡层掩膜的一面和侧面 ... |
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专利描述:本发明公开了一种太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法,其测量步骤是:测量待测太阳能电池硅片的原始厚度;将太阳能电池硅片正反面腐蚀减薄;测量腐蚀减薄后的太阳能电池硅片厚度;将太阳能电池硅片表面钝化 ... |
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专利描述:本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片弯曲片的矫正方法,其步骤为:A.将待矫正的弯曲的晶体硅太阳能电池片密封包装,后置于0℃以下的冷冻处理温度环境中冷冻;B.当弓片温度降低到0℃以下后,再将弓片置于10℃以上自然环境 ... |
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专利描述:本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的改善方法及专用装置。其工艺步骤为:将晶体硅太阳能电池片退火处理,然后将晶体硅太阳能电池片加热并同时光照一段时间。使用本发明方法处理后的电池片,其他外观 ... |
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专利描述:本发明公开了一种带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池及其制备方法,电池表面带有金属电极层、PN结层和热斑。在热斑的周围设有腐蚀环,腐蚀环将金属电极隔断或腐蚀环的深度透过PN结。其制备步骤为:找出带有热斑的硅太阳 ... |
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选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法 |
专利号:200710025032.7 |
申请人/专利权人:中电电气(南京)光伏有限公司 |
发明设计人:赵建华 王艾华 高鹏 王继磊 姚文杰 连维飞 |
专利描述:本发明公开了一种选择性发射结晶体硅太阳电池的制备方法,包括高浓度掺杂扩散,其特征在于:在晶体硅片的二氧化硅层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂,腐蚀形成电极窗口,然后,在电极窗口区域在POCL3气氛中进行高浓度掺杂扩 ... |
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