太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法及装置 |
| 申请号/专利号： |
200910032460.1 |
申 请 日： |
2009-07-08 |
| 名 称： |
太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法及装置 |
| 公开(公告)号： |
101592469 |
公开(公告)日： |
2009-12-02 |
| 主分类号： |
G01B7/06(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
G01B7/06(2006.01)I G01N21/00(2006.01)I C23F1/00(2006.01)I C23F1/24(2006.01)I C23F1/40(2006.01)I C23C22/00(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
211100江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号 |
| 发明(设计)人： |
宫昌萌 倪志春 赵建华 王艾华 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
南京知识律师事务所 |
代 理 人： |
程化铭 |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本发明公开了一种太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法,其测量步骤是:测量待测太阳能电池硅片的原始厚度;将太阳能电池硅片正反面腐蚀减薄;测量腐蚀减薄后的太阳能电池硅片厚度;将太阳能电池硅片表面钝化、有效少子寿命测量;重复步骤2～4直到测量的有效少子寿命不再提高为止;用太阳能电池硅片原始厚度减去最后一次测得的厚度得出太阳能电池硅片损伤层厚度,最后一次测得的有效少子寿命就是反映硅片材料质量的太阳能电池硅片少子寿命。同时公开了实施该方法的装置。本发明方法简单实用,可以同时测量太阳能硅片损伤层厚度和少子寿命。 |
| 标签：中电电气 太阳能电池硅片 |
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