专利描述:本发明公开了基于真空冻干技术在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法,其工艺步骤:步骤1.用H2SO4和H2O2混合溶液清洗硅片表面的有机物,再用去离子水清洗硅片,然后烘干;步骤2.用丝网印刷的方法将液态材料印刷在基底表面 ... |
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专利描述:本发明公开了一种太阳能电池硅片损伤层厚度和少子寿命测量方法,其测量步骤是:测量待测太阳能电池硅片的原始厚度;将太阳能电池硅片正反面腐蚀减薄;测量腐蚀减薄后的太阳能电池硅片厚度;将太阳能电池硅片表面钝化 ... |
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专利描述:本发明公开了一种带有热斑腐蚀环的硅太阳能电池及其制备方法,电池表面带有金属电极层、PN结层和热斑。在热斑的周围设有腐蚀环,腐蚀环将金属电极隔断或腐蚀环的深度透过PN结。其制备步骤为:找出带有热斑的硅太阳 ... |
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