一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法 |
| 申请号/专利号： |
201310405652.9 |
申 请 日： |
2013-09-06 |
| 名 称： |
一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法 |
| 公开(公告)号： |
103531657A |
公开(公告)日： |
2014-01-22 |
| 主分类号： |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号 |
| 发明(设计)人： |
王丽春 赵彦 黄海冰 吕俊 王艾华 赵建华 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32 |
代 理 人： |
陈建和 |
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| 专利描述： |
| 一种多晶/类单晶硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，步骤如下（1）化学去除表面能损伤层；（2）采用一次扩散工艺进行重掺杂，形成PN结；（3）硅片表面生长或形成介质层或掩膜层；（4）化学腐蚀方法腐蚀非电极栅线区的介质层而保留电极栅线区下的掩膜层；（5）利用反应离子刻蚀RIE在非电极栅线区刻蚀出100-300nm的金字塔绒面结构，同时一次性形成浅掺杂区；（6）使用湿化学方法一次性去除反应离子刻蚀形成的表面损伤层及电极栅线区下掩膜层，即得到选择性发射极结构。本发明采用一次扩散结合反应离子刻蚀技术就完成选择性发射极多晶/类单晶硅太阳电池所需的轻重掺杂和低反射率纳米级表面织构，简化了工艺路径，转化效率高，适合工业化量产。 |
| 标签：中电电气 太阳能电池 |
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