利用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法 |
| 申请号/专利号： |
201310574856.5 |
申 请 日： |
2013-11-15 |
| 名 称： |
利用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法 |
| 公开(公告)号： |
103618027A |
公开(公告)日： |
2014-03-05 |
| 主分类号： |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18(2006.01)I H01L21/266(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
211100 江苏省南京市江宁经济技术开发区佛城西路123号 |
| 发明(设计)人： |
黄海冰 王建波 王丽春 吕俊 赵建华 王艾华 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32 |
代 理 人： |
陈建和 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及用离子注入形成选择性掺杂和制备高效晶体硅太阳能电池的方法，1）通过热生长、CVD、PVD、ALD方法或化学凝胶生长法在硅片基体一面形成一层一定厚度的半掩膜材料，作为后续离子注入工艺形成分区掺杂的半掩膜；半掩膜材料选择：SiOx、SiOxNy、SiNx或TiOx等；2）对晶硅电池的某一面或者某一面的特定区域进行图案化刻蚀处理，形成所需要的选择性掺杂图案：刻蚀处理后的图案区将会形成重掺杂区；3）根据电池结构的设计，在晶硅电池的某一面或者与某一面的特定区域进行与衬底相同掺杂类型或者相反掺杂类型的离子注入掺杂；4）退火：在退火的过程中，形成选择性的分区掺杂。掺杂，离子注入选择合适的工艺参数。 |
| 标签：中电电气 晶体硅 太阳能电池 |
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