一种半导体二极管结构 |
| 申请号/专利号： |
201220411190.2 |
申 请 日： |
2012-08-17 |
| 名 称： |
一种半导体二极管结构 |
| 公开(公告)号： |
202855743U |
公开(公告)日： |
2013-04-03 |
| 主分类号： |
H01L29/861(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L29/861(2006.01)I H01L23/40(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
528400 广东省中山市火炬开发区逸仙路新世纪工业园1号厂房第4层 |
| 发明(设计)人： |
卢桦岗 林小青 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本实用新型一种半导体二极管结构，其二极管芯片设在导电散热底板和导电散热连接座之间，导电散热底板和导电散热连接座之间采用螺栓绝缘连接，即连接螺栓与导电散热连接座绝缘连接，其结构简单，具强度高，导电能力强，耐高温和工作安全可靠的特点。 |
| 标签：华星电源 二极管 |
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