一种应用于单晶炉的加料管 |
专利号:200720110134.4 |
申请人/专利权人:浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人:吴云才;陆荣 |
专利描述:本实用新型涉及一种应用于单晶炉的加料管,包括石英管、连杆、石英锥, 石英管竖向置放于石英锥之上,石英管和石英锥围构成硅料盛放区,连杆伸入 石英管内并与石英锥相连,连杆由外力驱动而带动石英锥作升降运动 ... |
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一种硅粉饼的压制装置 |
专利号:200720110133.X |
申请人/专利权人:浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人:吴云才;陆荣 |
专利描述:本实用新型涉及一种硅粉饼的压制装置,包括立柱和缸体,立柱支撑缸体, 缸体上下伸入压块、顶块,压块、顶块与缸体内壁密封配合,三者围成硅料压 制区;压块受外力驱动,将硅粉加压成饼状;顶块受外力驱动,将硅 ... |
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太阳能电池 |
专利号:201010617481.2 |
申请人/专利权人:浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人:石郧熙;郑志东 |
专利描述:本发明实施例公开了一种太阳能电池,该太阳能电池包括:电池本体;位于电池本体正面的正电极;位于电池本体背面与所述正电极极性相反的背电极;位于电池本体背面背电极区域之外的介质层;位于所述介质层上且与所 ... |
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专利描述:本发明属于半导体硅料检测技术领域,特别涉及一种检测分选废硅料的显 色溶剂,浓度为48-50%的氟化氢溶液、68-72%的硝酸溶液、98-99%的醋酸溶液 和纯水,按以下体积比调配:氟化氢∶硝酸∶醋酸∶纯水=1∶3∶6~9∶4 ... |
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专利描述:本发明属于硅料检测技术领域,特别涉及一种用于检测分选废硅料的显色 方法,①调配显色溶液:氟化氢、硝酸、醋酸溶液和纯水按体积比1∶3∶6~9∶ 4~6置于耐酸槽中混和;②称取清洁的废硅料,盛入耐酸提篮中;③将带废 ... |
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专利描述:本发明属于硅料回收处理技术领域,特别涉及直拉法生长硅单晶产生的锅 底料的除杂方法,①将锅底硅料破碎至粒径为3~12mm的颗料状;②调配除杂 溶液:氟化氢、硝酸、醋酸溶液按1∶3∶7~9的比例混合置入耐酸槽中;③硅 ... |
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一种废硅料清洗方法 |
专利号:200610050726.1 |
申请人/专利权人:浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人:吴云才 |
专利描述:本发明属于半导体材料清洗处理技术领域,特别涉及对废硅料去除表面污 物的废硅料清洗方法,包括下列步骤:(1)硅料投放于碱液中浸泡;(2)待碱液 中硅料上浮时,捞取硅料,用纯水冲洗并沥干;(3)投放于第二个碱液 ... |
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一种硅料清洁方法 |
专利号:200610050725.7 |
申请人/专利权人:浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人:吴云才 |
专利描述:本发明属于半导体材料清洁处理技术领域,特别涉及对废硅料去除表层杂 质的清洁工艺,按下列步骤完成:(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中; (2)捞取浸渍后的硅料,用纯水多级冲洗;(3)将冲洗后的硅料浸泡于 ... |
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一种多晶硅料的提纯方法 |
专利号:200810163005.0 |
申请人/专利权人:浙江昱辉阳光能源有限公司 |
发明设计人:吴云才;刘伟;刘文涛;聂帅 |
专利描述:本发明涉及一种多晶硅料的提纯方法,尤其是一种去除低等级硅中的磷杂质的提纯方法。本方法对硅料进行低压熔炼和直拉结晶,其特征在于包括以下步骤:将硅料投入配有磁场激励装置的熔化结晶设备中加热熔化;将熔融 ... |
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专利描述:本发明涉及属于硅片清洗技术领域,具体涉及一种太阳能硅片清洗后表面残留物的检测方法。所述检测方法包括以下步骤:将水溶性荧光粉添加至硅片清洗液中,硅片经超声波清洗和漂洗后,对待检硅片或水样滤纸进行紫外 ... |
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