一种垂直结构的发光器件及其制造方法 |
| 申请号/专利号： |
201110150330.5 |
申 请 日： |
2011.06.07 |
| 名 称： |
一种垂直结构的发光器件及其制造方法 |
| 公开(公告)号： |
CN102214751A |
公开(公告)日： |
2011.10.12 |
| 主分类号： |
H01L33/10(2010.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L33/10(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
广东省广州市南沙区南沙资讯科技园软件楼南101 |
| 发明(设计)人： |
曹建兴;王瑞珍;赖燃兴;周玉刚;肖国伟 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
广州新诺专利商标事务所有限公司 |
代 理 人： |
罗毅萍 |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 一种垂直结构的发光器件，包括一LED芯片和一支撑衬底。该LED芯片自上而下依序包括N电极、N电极反射层、氮化镓N型层、量子阱、氮化镓P型层、P电极和芯片键合层，该N电极和N电极反射层的面积小于该氮化镓N型层的面积，该P电极和芯片键合层在对应N电极反射层正下方的投影区域具有一窗口，使该氮化镓P型层在该窗口处外露。该支撑衬底对应该窗口处具有一反射腔，该反射腔的底面具有一反光层。该LED芯片通过芯片键合层键合固定在该支撑衬底上，且底面具有使垂直于N电极反射层的入射光线经反射腔的底面反射后以非垂直于N电极反射层的角度射出的结构。本发明的发光器件具有高外量子效率。 |
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