拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极 |
| 申请号/专利号： |
201010620111.4 |
申 请 日： |
2010.12.31 |
| 名 称： |
拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极 |
| 公开(公告)号： |
CN102130193A |
公开(公告)日： |
2011.07.20 |
| 主分类号： |
H01L31/042(2006.01) |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |
| 发明(设计)人： |
陈苏平 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
常州市维益专利事务所 32211 |
代 理 人： |
王凌霄 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及硅太阳能电池正电极设计领域，特别是一种拓扑学原理设计的硅太阳能电池正电极它，包括细栅线和主栅线，电池片正面的多根细栅线为同心圆和同心圆弧形，相邻细栅线之间的距离为2～3mm。本发明所设计的硅太阳能电池栅线传导结构，运用拓扑学规律，改变其分布状况，增加电池片表面的电子的传输速度，增加电子的有效传导。 |
| 标签：天合光能 太阳能电池 拓扑学 |
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