| 专利描述：一种非晶硅薄膜太阳电池组件的制备方法涉及太阳能应用技术领域。电池组件是按TCO玻璃层、非晶硅层、AZO膜层、PVB胶层、钢化玻璃层、AZO膜层、非晶硅层、TCO层和聚酰亚胺PI层依次排列。它可有效提高非晶硅太阳电 ... |
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| 高速沉积制造薄膜太阳电池的方法 |
专利号：201110220265.9 |
| 申请人/专利权人：牡丹江旭阳太阳能科技有限公司 |
发明设计人：李兆廷;李鹏;王恩忠;林宏达;甄雁卉 |
| 专利描述：本发明涉及高速沉积制造薄膜太阳电池的方法。使用本方法可以快速、高效、低成本制造的薄膜太阳电池，在沉积薄膜电池层时加入辅助气体Ar，有利于气体起辉，达到降低第一起辉电压、功率，降低第二起辉后正常沉积功 ... |
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| 专利描述：本发明涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳电池正面电极结构及其制作方法。该制作方法，包括：粘接步骤，将金属丝粘上银浆粘贴在硅片表面形成细栅线；烘干步骤，将粘接好金属丝的硅片在200℃到400℃的温度条件下 ... |
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| 一种太阳电池的去边方法 |
专利号：201010158046.8 |
| 申请人/专利权人：陕西众森电能科技有限公司 |
发明设计人：黄国保 |
| 专利描述：本发明属于太阳能电池加工技术领域，具体涉及一种太阳电池的去边方法，包括：S101，紧密叠放硅片；S102，纯净水浸泡硅片；S103，高压喷淋腐蚀硅片；S104，清洗硅片。本发明的去边方法能够精确控制腐蚀，不会蔓延 ... |
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| 专利描述：本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，具体公开了一种太阳电池电极结构、以及太阳电池串联方法。该结构包括硅片、以及平行分布在所述硅片正面的细栅线，所述细栅线延伸出所述硅片的两边缘形成太阳电池的正面电极，在 ... |
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| 太阳电池组件隐形裂纹测试方法 |
专利号：201110252600.3 |
| 申请人/专利权人：常州天合光能有限公司 |
发明设计人：钱朝晖;丁剑峰;胡继壁;邵璟璟 |
| 专利描述：本发明公开了一种太阳电池组件隐形裂纹测试方法，具有如下步骤：a、传输单元接收组件生产线上传送来的待测组件，送入顶升单元；b、顶升单元将组件矫正后，通过升降气缸将组件抬高1.5m后送入测试单元；c、组件到 ... |
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| 专利描述：本发明涉及本发明涉及一种晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构，首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然 ... |
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| 太阳电池组件专用固化房 |
专利号：201110252546.2 |
| 申请人/专利权人：常州天合光能有限公司 |
发明设计人：钱朝晖;丁剑峰;胡继壁;邵璟璟 |
| 专利描述：本发明涉及一种太阳电池组件专用固化房，包括一个封闭的固化房，在固化房内安装可控的温湿度调节系统，固化房内设固化自动流水线，将固化房外上道工序完成后的需要固化的组件堆栈经生产流水线排入固化房，这些组 ... |
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| 一种晶体硅太阳电池主栅结构 |
专利号：201120135039.6 |
| 申请人/专利权人：常州天合光能有限公司 |
发明设计人：杨阳;邓伟伟;冯志强;黄强 |
| 专利描述：本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构，本方案通过仅在电池IV测试的测试探针接触点附近印刷银浆，在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。在电池IV测试时，由于每条主栅 ... |
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太阳能光伏：