| 专利描述：本发明涉及一种晶体硅电池片的生产技术，具体涉及一种晶体硅电池片扩散制程领域。具体方法为将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600-900s；分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气 ... |
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| 还原扩散法制备镍锰镓磁性记忆合金 |
专利号：200810223600.9 |
| 申请人/专利权人：宁波科宁达工业有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 |
发明设计人：鲍志林 |
| 专利描述：本发明涉及具有磁诱导高应变和形状记忆效应的镍锰镓磁性记忆合金的制备方法，该方法采用金属钙和碱金属氯化物或碱土金属氯化物作还原剂，直接由金属镍、金属锰和氧化镓通过还原扩散法在真空电阻炉中直接制备镍锰 ... |
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太阳能光伏：