一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法 |
| 申请号/专利号： |
201310291908.8 |
申 请 日： |
2013.07.12 |
| 名 称： |
一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法 |
| 公开(公告)号： |
CN103346074A |
公开(公告)日： |
2013.10.09 |
| 主分类号： |
H01L21/228(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L21/228(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇光伏产业园区 |
| 发明(设计)人： |
傅强;董道宴;张崇超 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
宜昌市三峡专利事务所 42103 |
代 理 人： |
成钢 |
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| 专利描述： |
| 本发明涉及一种晶体硅电池片的生产技术，具体涉及一种晶体硅电池片扩散制程领域。具体方法为将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600-900s；分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气；炉内温度恒温到860℃，同时通入氧气、氮气、磷源；逐渐缓慢降低炉内温度至852℃，同时通入磷源、氧气、氮气，时间为800s；再次直接将炉管温度降低至800℃，同时通入氧气、氮气，300s后退火；退火后，通入氮气后出舟。本发明与传统工艺方法相比电池转换至少提高0.25个百分点。 |
| 标签：九州方园 晶体硅电池片 扩散法制备 |
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