| 专利描述：本实用新型专利涉及一种栅线结构，尤其涉及一种用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构。包括硅片，所述的硅片的表面设有横向均布的子栅线，所述的硅片的表面设有两条纵向分布且相间隔的主栅线槽，所述的主栅线槽的 ... |
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| 专利描述：本实用新型专利涉及一种背面电极结构，尤其涉及一种用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构。包括硅片，所述的硅片的背面设有三行二列独立分布的背极图。用于晶体硅太阳能电池的背面电极结构结构简单，降低生产成本 ... |
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| 专利描述：本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统。包括硅体，所述的硅体的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区和磷扩散区，所述的硼扩散区中设有背电极栅线，所述的磷扩散区中设有正电 ... |
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| 专利描述：本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。包括硅体，所述的硅体的上部设有电池细栅线层，所述的硅体的两侧面和折角处分别为正面电极，所述的硅体下部设有铝背场，所述 ... |
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| 一种晶体硅太阳电池主栅结构 |
专利号：201120135039.6 |
| 申请人/专利权人：常州天合光能有限公司 |
发明设计人：杨阳;邓伟伟;冯志强;黄强 |
| 专利描述：本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构，本方案通过仅在电池IV测试的测试探针接触点附近印刷银浆，在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。在电池IV测试时，由于每条主栅 ... |
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太阳能光伏：