专利描述:本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制作过程中的氧化硅生成工艺,通过最优化整个氧化工艺过程中温度,气流量,氧化时间等重要参数可以在硅片表面生长出致密的,稳定的氧化薄膜去阻止磷源进入硅片,然后结合相 ... |
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专利描述:本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺,包括以下步骤:(1)纯水喷淋;(2)超声波清洗;(3)纯水再次喷淋;(4)循环纯水浸渍。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩 ... |
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一种二氧化硅晶片研磨机 |
专利号:201310106064.5 |
申请人/专利权人:铜陵迈维电子科技有限公司 |
发明设计人:华前斌 |
专利描述:一种二氧化硅晶片研磨机,涉及一种研磨装置,包括底座,底座上设有工作槽,工作槽内设有主轴,主轴上套有转盘,所述的转盘外圈设有研磨圈,研磨圈上表面设有研磨纹,研磨圈上放置有研磨片,研磨片内设有研磨槽, ... |
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