一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 |
| 申请号/专利号： |
CN200810207488.X |
申 请 日： |
2008.12.22 |
| 名 称： |
一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 |
| 公开(公告)号： |
CN101447529A |
公开(公告)日： |
2009.06.03 |
| 主分类号： |
H01L31/18 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
上海市闸北区江场三路36号 |
| 发明(设计)人： |
郝江波;李静;周鹏宇 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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想以后再联系，请 |
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| 专利描述： |
| 本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制作过程中的氧化硅生成工艺，通过最优化整个氧化工艺过程中温度，气流量，氧化时间等重要参数可以在硅片表面生长出致密的，稳定的氧化薄膜去阻止磷源进入硅片，然后结合相关的刻蚀手段即可实现硅片表面局部重扩散和轻扩散的目的。 |
| 标签：晶澳太阳能 氧化硅 |
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