一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 |
| 申请号/专利号： |
CN200810207489.4 |
申 请 日： |
2008.12.22 |
| 名 称： |
一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 |
| 公开(公告)号： |
CN101447530B |
公开(公告)日： |
2010.06.09 |
| 主分类号： |
H01L31/18 |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
H01L31/18; H01L21/02; H01L21/00 |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
上海市闸北区江场三路36号 |
| 发明(设计)人： |
李静;朴松源;郭育林;王鹏 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
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代 理 人： |
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| 专利描述： |
| 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤：(1)纯水喷淋；(2)超声波清洗；(3)纯水再次喷淋；(4)循环纯水浸渍。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底清除掉硅片表面的各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 |
| 标签：晶澳太阳能 太阳电池 |
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