晶硅光学掩膜制绒工艺 |
| 申请号/专利号： |
201110241813.6 |
申 请 日： |
2011.08.23 |
| 名 称： |
晶硅光学掩膜制绒工艺 |
| 公开(公告)号： |
CN102412338A |
公开(公告)日： |
2012.04.11 |
| 主分类号： |
H01L31/18(2006.01)I |
分案原申请号： |
|
| 分 类 号： |
H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
|
优 先 权： |
|
| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
338019 江西省新余市渝水区下村工业基地大一路 |
| 发明(设计)人： |
贾积凯;孙杰;潘鹏飞 *相关专利 |
国际申请： |
|
| 国际公布： |
|
进入国家日期： |
|
| 专利代理机构： |
|
代 理 人： |
|
| 想进一步了解专利详情，请 |
 |
想以后再联系，请 |
 |
|
|
| 专利描述： |
| 本发明提供一种多晶硅光学掩膜制绒工艺，其特征在于，对多晶硅硅片进行光学掩膜处理，再放入到氢氟酸、硝酸和缓冲剂的的混合液中进行制绒。它的效果在于：1、对所制绒的排列、密度、大小、深度等参数操控性强，可使多晶硅太阳电池绒面的组织结构非常合理；2、有利于磷扩散制结以及后续的丝网印刷烧结等工艺中参数的优化；3、反射率低，与现有工艺比较，反射率由22.5％降低至18.5％左右。 |
| 标签：瑞晶太阳能 晶硅 制绒 |
|
|
|
|
太阳能光伏：