太阳能级硅单晶生产工艺方法 |
申请号/专利号: |
200410064692.2 |
申 请 日: |
2004.09.20 |
名 称: |
太阳能级硅单晶生产工艺方法 |
公开(公告)号: |
CN1609286 |
公开(公告)日: |
2005.04.27 |
主分类号: |
C30B15/00 |
分案原申请号: |
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分 类 号: |
C30B15/00;C30B29/06 |
颁 证 日: |
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优 先 权: |
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申请(专利权)人: |
江苏顺大半导体发展有限公司 *相关专利 |
地 址: |
225653江苏省高邮市天山镇工业园区 |
发明(设计)人: |
倪云达;曲树旺 *相关专利 |
国际申请: |
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国际公布: |
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进入国家日期: |
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专利代理机构: |
扬州苏中专利事务所 |
代 理 人: |
胡定华 |
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专利描述: |
太阳能级硅单晶生产工艺方法,属于硅单晶生长技术。将生产太阳能级硅单晶的原材料进行材料分选和处理,在直拉硅单晶的单晶炉的上部石墨盖上加设保温盖,石墨盖的盖口内加设导流筒,单晶炉的底部设炉底护盘和固化断热材,对已分选和处理过的材料进行配料,装炉后,开炉加热,拉制硅单晶,对拉制成的硅单晶体进行测试、切片、滚圆,再经复测合格品包装入库。本发明工艺先进简单,单晶炉加设导流筒底部设置炉底护盘和固化断热材料,将筒、盖、罩、盘形成一个封闭的整体,有效的阻止热能损耗。导流筒充分引导氩气的定向流动,使最新鲜的氩气在硅液及晶体周围,进一步起到保护作用,减小热损耗,保证热能的充分利用。 |
标签:太阳能级硅 单晶 生产 工艺 |
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