| 一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法 |
专利号：201310277171.4 |
| 申请人/专利权人：北京科华微电子材料有限公司 北京科华丰园微电子科技有限公司 |
发明设计人：孙嘉 陈昕 罗杰·森特 李冰 刁翠梅 李海波 韩现涛 |
| 专利描述：本发明提供一种新型负性化学放大光刻胶及其成像方法，该负性化学放大光刻胶含有苯酚类树脂、光致产酸剂、交联剂、碱性添加剂、敏化剂和光刻胶溶剂。其中苯酚类树脂是所述新型负性化学放大光刻胶的主体材料，光致 ... |
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| 一种正型光刻胶组合物及正型光刻胶显影工艺 |
专利号：201310276738.6 |
| 申请人/专利权人：北京科华微电子材料有限公司 北京科华丰园微电子科技有限公司 |
发明设计人：郑金红 陈昕 罗杰·森特 李冰 韩现涛 |
| 专利描述：本发明提供了一种正型光刻胶组合物及一种正型光刻胶显影工艺步骤。所述正型光刻胶组合物包含聚合物（A）、光致产酸剂（B）、溶剂以及添加剂，同时所述正型光刻胶组合物还包括了光敏剂（C）和含氮化合物（D），它 ... |
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| 专利描述：本发明涉及到单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、尤其是ArF光源的光刻 工艺光刻胶，又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物包括共聚物和三聚物，具体可用化学 结构式1表示。 其中氟代环烯烃单体中的R1 ... |
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| 专利描述：本发明涉及的单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、特别是ArF 光源的光刻胶，又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物、共聚物、三聚物可用 化学结构式1表示，其中包含的若干单体在所述光刻胶组合物中起粘 ... |
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