| 专利描述：本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤：(1)纯水喷淋；(2)超声波清洗；(3)纯水再次喷淋；(4)循环纯水浸渍。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩 ... |
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| 专利描述：本发明公开了一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法,其工艺步骤是:将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面沉积阻挡层掩膜;然后将太阳能电池硅片放入腐蚀液中,将太阳能电池硅片未沉积阻挡层掩膜的一面和侧面 ... |
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| 四管道库特勒湿法刻蚀新型盖板 |
专利号：201220660373.8 |
| 申请人/专利权人：江苏中宇光伏科技有限公司 |
发明设计人：许成德 陈冬维 肖培玉 闵祥波 |
| 专利描述：本实用新型公开了四管道库特勒湿法刻蚀新型盖板，包括蚀刻槽以及抽风管道，蚀刻槽内设有溶液，所述抽风管道为四根，并且位置相互交错，各抽风管道的管道口处于同一水平面，所述朝向溶液的管道口与溶液的液面距离 ... |
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| 专利描述：本实用新型公开了可在槽内填充氮气的库特勒湿法刻蚀新型盖板，包括蚀刻槽以及抽风管道,蚀刻槽内设有溶液，所述抽风管道为四根,并且相邻两抽风管道之间相互呈高低错位,各抽风管道的管道口处于同一水平面,还包括填 ... |
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| 专利描述：本实用新型公开了一种太阳能硅电池湿法刻蚀机快拆式回流管路装置，包括槽体，其特征在于：所述槽体上地板设有回流定位槽，回流定位槽上设有快拆封板，所述槽体回流侧板构成的上浸泡区域底部设有回流管。本实用新 ... |
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| 专利描述：本实用新型公开了一种太阳能硅电池湿法刻蚀机刻蚀段双层抽风系统，所述系统为水平传输的链式结构，其特征在于：所述系统包括槽体、第一层盖板和第二层盖板，在槽体刻蚀段入料方向与出料方向各有一个抽风口；所述 ... |
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| 专利描述：本实用新型公开了一种太阳能硅电池湿法刻蚀机气帘保护装置，包括槽体和盖板，其特征在于：在槽体的刻蚀段后方设置过渡区，在过渡区的后方设置一抽风管；在抽风管的后方加装一把气刀，利用气刀的风力在其覆盖区域 ... |
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| 专利描述：本发明公开了一种非晶硅太阳能电池周边电极绝缘激光刻蚀的处理方法，处理过程依次为：(1)将玻璃基片的正电极膜层进行第一次激光刻槽，然后(2)采用化学气相沉积法沉积非晶硅膜层，形成非晶硅太阳能电池的PN节，再 ... |
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太阳能光伏：