一种提升单晶硅生长速度的导流筒 |
| 申请号/专利号： |
201210564957.X |
申 请 日： |
2012-12-24 |
| 名 称： |
一种提升单晶硅生长速度的导流筒 |
| 公开(公告)号： |
103882510A |
公开(公告)日： |
2014-06-25 |
| 主分类号： |
C30B15/00(2006.01)I |
分案原申请号： |
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| 分 类 号： |
C30B15/00(2006.01)I C30B29/06(2006.01)I |
| 颁 证 日： |
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优 先 权： |
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| 申请(专利权)人： |
*相关专利 |
| 地 址： |
443300 湖北省宜昌市宜都市红花套镇光伏产业园区 |
| 发明(设计)人： |
刘代军 黄华 *相关专利 |
国际申请： |
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| 国际公布： |
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进入国家日期： |
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| 专利代理机构： |
宜昌市三峡专利事务所 42103 |
代 理 人： |
成钢 |
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| 专利描述： |
| 一种提升单晶硅生长速度的导流筒，包括内导流筒、外导流筒，内导流筒与外导流筒之间设有隔热碳毡，所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧铺设有热辐射反射层。所述内导流筒的外侧、外导流筒的内侧构成一密封的腔体，隔热碳毡位于密封的腔体内。本发明一种提升单晶硅生长速度的导流筒，将硅棒和加热器辐射到导流筒上的热量均能及时传递走，加速了晶棒的冷却，实现拉晶速度的显著提高。提升生产效率的同时，降低能耗。另外，热辐射反射层由内、外导流筒将其封闭，杜绝了杂质对拉晶的影响。 |
| 标签：九州方园 导流筒 单晶硅 |
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