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具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法

申请号/专利号:

201110186275.5

申 请 日: 2011-07-04
名 称: 具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法
公开(公告)号: 102312283A 公开(公告)日: 2012-01-11
主分类号: C30B15/00(2006.01)I 分案原申请号:
分 类 号: C30B15/00(2006.01)I C30B29/06(2006.01)I
颁 证 日: 优 先 权:
申请(专利权)人:

浙江晶盛机电股份有限公司

*相关专利
地 址: 312300 浙江省绍兴市上虞市经济技术开发区通江西路218号
发明(设计)人:

朱亮 王魏 孙明 曹建伟 邱敏秀

*相关专利
国际申请:
国际公布: 进入国家日期:
专利代理机构: 代 理 人:
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专利描述:
本发明涉及直拉硅单晶炉设备,旨在提供一种具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法。该单晶炉有一个主炉室,主炉室上部装配有一个副炉室;该单晶炉还额外配置一个副炉室,两个副炉室均具备炉筒、晶体提升机构、水平调整机构、副炉室旋转机构和控制副炉室升降的液压缸,副炉室旋转机构均通过连接件活动安装于支撑柱上;各副炉室的下端设置一个副炉室闸阀,副炉室闸阀内设置活动的阀板;所述主炉室的上端设有一个隔离阀座,隔离阀座内部设置活动的主炉室隔离阀板,隔离阀座上侧与两个副炉室闸阀相互匹配。通过两个炉筒的交替使用,可在晶棒冷却的同时进行下一根晶棒的拉制,缩短了生产周期,大幅度提高生产效率,有效降低成本。
标签:晶盛机电 单晶硅
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